سامسونگ ادعا کرده که درایوهای حالت جامد V-NAND یکی از سریع‎ترین درایوهای حالت جامد دنیاست. تولید درایو حالت جامد SATA 250 گیگبایتی در مرحله‎ی تولید انبوه قرار دارد با این حال تولید V-NAND سه بعدی نسل شش نیز شروع شده که در ابتدا برای مصارف صنعتی تولید می‎شود. این درایو حالت جامد نه تنها عملکرد بسیار بهتری دارد بلکه بسیار کم‎ مصرف‎تر نیز هست. 
سامسونگ می‎گوید که با استفاده از تکنولوژی «channel hole etching» تا چهل درصد سلول‎های بیشتری به ساختار 9x لایه‌ای اضافه کرده است. علاوه بر آن طراحی این درایوهای جدید به صورتی است که سرعت آن بسیار بیشتر است و گفته می‎شود که نوشتن روی آن 45 میکروثانیه و خوانش آن نیز45 میکروثانیه طول می‎کشد. 
سرعت عملکرد این درایو نسبت به نسل قبلی ده درصد افزایش و میزان مصرف انرژی آن تا 15 درصد کاهش داشته است. درحالی که مدل 250 گیگابایتی هنوز در دست تولید است، سامسونگ می‎گوید که SSD، 512 گیگابایتی این شرکت آخر امسال منتشر خواهد شد.

محصولات صنعتی 

این مدل‌ها برای سرورهای سنگین وزن و مشتریان شرکتی تولید خواهد شد اما V-NAND سه بعدی به دستگاه‎های موبایل و بازار اتومبیل نیز راه پیدا خواهد کرد. البته به احتمال زیاد محصولات شرکتی نیز پس از مدتی برای مصارف شخصی نیز تولید خواهد شد اما زمان آن هنوز مشخص نیست. 
به هر حال دیدن این که تکنولوژی درایوهای حالت جامد تا این حد سریع پیشرفت داشته خوشایند است. سامسونگ گفته که توسعه‎ی این نسل از درایو حالت جامد 13 ماه طول کشیده و تولید انبوه آن 4 ماه طول خواهد کشید. 
مدیر اجرایی سامسونگ، کی هیون کیونگ، در این زمینه می‎گوید:« با توسعه سریع‎تر چرخه‎ها برای نسل بعدی محصولات V-NAND، ما سعی داریم بازار را برای محصولات مبتنی بر V-NAND 512 گیگابایتی خود گسترش دهیم.» 

بیشتر بخوانید:

پردازنده اسنپدراگون 855 پلاس معرفی شد؛ قدرت‌نمایی هرچه بیشتر برای گیمرها