S-RAMهای ده نانومتری جدید سامسونگ با تکنولوژی FinFET

   
نام نویسنده:
|
دسته بندی:
|
سامسونگ از توسعه ماژول های S-RAM مبتنی بر تکنولوژی 10nm FinFET خبر داد، که این در واقع نوید سیستم روی تراشه های کوچکتر با مزایای مشخص در مورد گوشی های هوشمند را می دهد. این خبر نیز می تواند بیدارباشی برای رقبای سامسونگ باشد، زیرا آنطور که ETnews گزارش داده است، توسعه ماژول S-RAM 10 نانومتری با تکنولوژی FinFET، نشان می دهد که این شرکت نه تنها پیشرو تر از TSMC است بلکه حتی، جلوتر از اینتل هم حرکت می کند.


ماژول های S-RAM جدید سامسونگ، می توانند برای کش پردازنده استفاده شوند و تکنولوژی 10 نانومتری FinNET حدودا 37.5 درصد کوچکتر از S-RAMهای 14 نانومتری است و نیز از این ماژول ها کارآیی بهتر و نیاز به توان کمتری انتظار می رود و نهایتا بر روی طول عمر باتری نیز تاثیرات مثبتی دارد. بر اساس گفته های سامسونگ این ماژول برای تولید انبوه در سال 2017 آماده خواهد شد.
سامسونگ تلاش زیادی برای توسعه تراشه می کند. در ماه گذشته شعبه ای در دره سیلیکون برای انجام تحقیق و توسعه بر روی نیمه هادی ها راه انداخته است.

اخبار مرتبط

دیگر اخبار نویسنده

ارسال نظر


شخصی سازی Close
شما در این صفحه قادر به شخصی سازی نمیباشید