استفاده از نانوسیم برای افزایش کارایی ال‌ای‌دی‌ها

   
نام نویسنده:
|
دسته بندی:
|
محققان کانادایی کارایی ال‌ای‌دی‌ را با استفاده از نانوسیم افزایش دادند. همچنین مقدار گرمای تولید شده و انرژی هدر رفته در این ال‌ای‌دی‌ها به دلیل ساختار مهندسی شده آن کاهش می‌یابد.به گزارش سرویس فناوری ایسنا، ال‌ای‌دی‌ها نسبت به لامپ‌های رشته‌ای و فلورسانس دارای کارایی بیشتری هستند. از نقطه نظر تئوری، ال‌ای‌دی‌ها می‌توانند کارایی صد درصد داشته باشند اما در عمل هنوز این کارایی به‌ دست نیامده است. یکی از دلایل این امر، هدر رفتن بخشی از انرژی هنگام تبدیل رنگ در فسفرهای به کار رفته در آن است. دومین مشکل، عملکرد پایین نیتریدگالیم p نسبت به نوع n است. سومین مشکل در عدم امکان کار در ولتاژهای متناوب در ال‌ای‌دی‌ها است در نتیجه باید برق AC به DC تبدیل شود.

این مشکلات با استفاده از نانوسیم قابل حل است. محققان دانشگاه مک گیل موفق به ساخت ال‌ای‌دی‌های نانوسیمی شدند که بی نیاز از لایه نیترید گالیم p است. بنابراین هدر رفت ولتاژ مورد استفاده در این ال‌ای‌دی‌ به حداقل می‌رسد.

شریف صدف از محققان این پروژه می‌گوید: «ما در این پروژه موفق به ساخت ال‌ای‌دی‌ شدیم که با برق متناوب کار می‌کند. این ال‌ای‌دی‌ روی پلت فرم سیلیکونی ساخته شده و با هر دو نوع ولتاژ منفی و مثبت کار می‌کند. در مقایسه با ال‌ای‌دی‌های چاه کوانتومی، این ال‌ای‌دی‌های نانوسیمی عاری از فسفر بوده و افت کارایی اندکی دارند. از سوی دیگر، این ادوات قابل کار در ولتاژهای مختلف بوده و نیاز به مبدل ندارند. این کار موجب کاهش هزینه ساخت LED می‌شود.»

صدف می‌افزاید: «اتصالات تونلی مهندسی شده پلاریزه می‌تواند فرصت‌های تازه‌ای برای حذف نیترید گالیم p از LED باشد. همچنین استفاده از این اتصالات تونلی موجب افزایش کارایی LED می‌شود.»

محققان این پروژه معتقدند که اتصال نقاط یا چاه‌های کوانتومی روی یک ساختار مسطح، ایده جالب و کارایی نیست؛ چرا که موجب افزایش دانسیته نقص‌های ساختاری می‌شود. شدت تابش ایجاد شده در این ساختار جدید بیشتر از نمونه‌های رایج در بازار است. این گروه نشان دادند که می‌توان با تقویت ساختار نانوسیم، شدت تابش را افزایش داد. همچنین می‌توان طول موج‌های مختلف نور را روی یک نانوسیم ایجاد کرد و در نهایت نور سفید از LED گرفت.

نتایج این پروژه در قالب مقاله‌ای با عنوان "Alternating-Current InGaN/GaN Tunnel Junction Nanowire White-Light Emitting Diodes" در نشریه Nano Letters منتشر شده‌ است.

دیگر اخبار نویسنده

ارسال نظر


شخصی سازی Close
شما در این صفحه قادر به شخصی سازی نمیباشید