سامسونگ نقشه راه خود را برای رسیدن به تراشه‌های 4 نانومتری تشریح کرد.

به گزارش فيسيت، به نقل از جي اس ام، از توضیحات سامسونگ اینگونه برمی‌آید که این شرکت مرحله گذر از فناوری فعلی 10 نانومتری به فناوری آتی 4 نانومتری را نه به‌یک‌باره، بلکه گام به گام خواهدپیمود. در ادامه با فيسيت همراه باشيد.

هم دنیای فناوری و هم صنعت تراشه‌سازی برای تداوم کار خود به چنین رشد شتابنده‌ای نیاز دارند!

نخستین بار گوردون مور، از بنیان‌گذاران شرکت اینتل، در سال 1965 پیش‌بینی کرد که تراکم ترانزیستورهای مدارهای مجتمع تقریبا هر دو سال یک‌بار دو برابر خواهدشد. با ذکر این توضیح که هم‌گام با کاهش اندازه تراشه می‌شد ترانزیستورهای بیشتری را در دل آن جای داد و بر قدرت پردازش و نیز بازده برق تراشه افزود. پیش‌بینی مور چنان درست از آب درآمد که مدتی بعد به قانون مور معروف شد و تا امروز نیز اعتبار خود را حفظ کرده است.

سامسونگ در راستای برنامه‌ آتی خود جهت متراکم‌تر ساختن ترانزیستورهای تراشه‌هایش، ابتدا با استفاده از فناوری Low Power Plus تراشه‌های 8 نانومتری تولید خواهدکرد و پس از آن برای نخستین بار با بهره‌گیری از فناوری Extreme Ultra Violet به ساخت تراشه‌های 7 نانومتری روی خواهدآورد.

گام بعدی این شرکت، ورود به دنیای 6 نانومتری‌ها است و برای این کار مجددا به فناوری Low Power Plus باز خواهدگشت.

پس از آن نوبت تراشه‌های 5 نانومتری Low Power Plus است و سپس سامسونگ به هدف خود مبنی بر تولید تراشه‌های 4 نانومتری Low Power Plus دست خواهدیافت. تراشه‌های 4 نانومتری نخستین تراشه‌هایی خواهندبود که  از نسل آتی معماری قطعه، موسوم به Multi Bridge Channel FET بهره خواهندبرد. این معماری، خود ثمره فناوری Gate All Around FET سامسونگ است که برای رفع محدودیت‌های معماری FinFET شکل گرفته است.   

کوچک‌ترسازی تراشه‌ و متراکم‌تر ساختن ترانزیستورهای آن روندی است که از اواسط قرن گذشته میلادی تا به امروز ادامه یافته است. برای مثال، تراشه‌های 45 نانومتری در سال 2008 روانه بازار شدند و دو سال بعد لیتوگرافی 32 نانومتری از راه رسید. سپس سال 2012 شاهد ورود تراشه‌های 22 نانومتری بود و متعاقب آن در سال 2014 لیتوگرافی 14 نانومتری به صحنه آمد. ما اکنون در سال جاری میلادی میزبان تراشه‌های 10 نانومتری هستیم و شاید سال بعد خود را برای استقبال از نسل آتی تراشه‌ها آماده می‌کنیم.