S-RAMهای ده نانومتری جدید سامسونگ با تکنولوژی FinFET

   
نام نویسنده:
|
دسته بندی:
|
سامسونگ از توسعه ماژول های S-RAM مبتنی بر تکنولوژی 10nm FinFET خبر داد، که این در واقع نوید سیستم روی تراشه های کوچکتر با مزایای مشخص در مورد گوشی های هوشمند را می دهد. این خبر نیز می تواند بیدارباشی برای رقبای سامسونگ باشد، زیرا آنطور که ETnews گزارش داده است، توسعه ماژول S-RAM 10 نانومتری با تکنولوژی FinFET، نشان می دهد که این شرکت نه تنها پیشرو تر از TSMC است بلکه حتی، جلوتر از اینتل هم حرکت می کند.

اخبار مرتبط

دیگر اخبار نویسنده

ارسال نظر


شخصی سازی Close
شما در این صفحه قادر به شخصی سازی نمیباشید